مطالعه انباشت اسپینی و مقاومت مغناطیسی حاصل از یک دیواره مغناطیسی
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود
- نویسنده نیره تاجی الیاتو
- استاد راهنما ابراهیم قاضی وحید فلاحی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1389
چکیده
در تحقیق حاضر ترابرد اسپینی در یک دیواره حوزه مغناطیسی که در بین دو ناحیه فرومغناطیس با مغناطش پاد موازی قرار دارد مطالعه شده است. معادلات پخش برای مولفه های انباشت اسپینی عرضی با استفاده از معادلات جنبشی در فضای ویگنر و پس از آن افت ولتاژ و مقاومت الکتریکی اضافی از انباشت اسپینی در دیواره مغناطیسی محاسبه شده است. نتایج به دست آمده نشان دهنده این نکته است که انباشت اسپینی عرضی از دو قسمت مستقل و وابسته به مکان تشکیل شده است طوریکه در دیواره های ضخیم انباشت اسپینی در داخل دیواره مستقل از مکان و در دیواره های نازک وابسته به مکان است (بجز در مرزهای دیواره). افت ولتاژ و مقاومت الکتریکی اضافی از انباشت اسپینی به صورت نمایی بر حسب ضخامت دیواره کاهش می یابد. سپس اثر جفت شدگی اسپین-مدار راشبا بر روی انباشت اسپینی و نتیجه آن بر روی مقاومت الکتریکی اضافی بررسی شده است. نتایج این بررسی نشان دهنده افزایش انباشت اسپینی عرضی و مقاومت الکتریکی اضافی تحت تأثیر این برهمکنش است.
منابع مشابه
مدل تحلیلی برای محاسبه تابع پذیرفتاری مغناطیسی در یک گاز الکترون آزاد قطبیده اسپینی
در این مقاله، با استفاده از نظریه پاسخ خطی هارتری- فاخ، پذیرفتاری مغناطیسی یک گاز الکترونی آزاد قطبیده اسپینی که تحت یک میدان مغناطیسی استاتیک قرار دارد به صورت تحلیلی بررسی میشود. با توجه به تقریبهای مختلف برای شکل پتانسیل تبادلی، خودمان را محدود به یک مدل نواری دو اسپینی سادهای برای گاز فرومغناطیسی میکنیم. در این مدل فرض میشود که نوارهای مربوط به الکترونهای با اسپین بالا و پایین نسبت ...
متن کاملبررسی کاربرد مدل‌های میدان مغناطیسی حاصل از داده‌های ماهواره‌ها در برآورد ضخامت پوسته مغناطیسی
ماموریت‌های اخیر ماهواره‌های اندازه‌گیری میدان مغناطیسی زمین منجر به افزایش قابل توجه داده‌های میدان مغناطیسی شده است. با داده‌های جدید که کیفیت بسیار مطلوبی نیز دارند، اطلاعات در مورد میدان مغناطیسی زمین به سرعت توسعه یافته و توصیف‌های جدید و دقیق‌تر میدان مغناطیسی از روی مدل‌های میدان مغناطیسی به‌طور پیوسته گسترش می‌یابد. امروزه، تفکیک‌پذیری مدل‌های میدان مغناطیسی به حدی رسیده است که امکان تف...
متن کاملمشخصة غیرخطی جریان-ولتاژ یک دیواره مغناطیسی 2π رادیان در نانوسیم‌های نیمرسانای فرومغناطیسی نوع p
در مقالۀ حاضر، مشخصه جریان-ولتاژ یک دیواره مغناطیسی 2π رادیان ایجاد شده در میان دو نانوسیم از جنس نیمرسانای مغناطیسی نوع p با قطبش اسپینی بسیار بالا در دمای معین T مطالعه و بررسی شده است. در این راستا، احتمال عبور و بازتاب حامل‌ها از دیواره 2π رادیان با حل معادله جفت شده شرودینگر برای مؤلفه‌های تابع موج اسپینی با اسپین بالا و پائین تعیین شده و سپس چگرادیان با حل معادلات جفت شده شرودینگر برای م...
متن کاملمدل سازی مستقیم پاسخ فرکانسی مؤلفه قائم مغناطیسی میدان الکترومغناطیس حاصل از چشمه دوقطبی مغناطیسی افقی از زمین لایه ای
مدلسازی مستقیم الکترومغناطیس (EM) با استفاده از چشمههای اولیه متفاوت یکی از راههای درک پیچیدگی توزیع امواج EM در زمین و نیز صحتسنجی تفسیرهای زمینشناسی مرتبط با مدل‌های به‌دست‌آمده از معکوسسازی داده‌های صحرایی EM است. در این مقاله، از یک برنامه کامپیوتری از پیش نوشته‌شده در محیط برنامهنویسی فرترن 77 بهمنظور مدلسازی مستقیم پاسخ فرکانسی میدان EM حاصل از چشمه دوقطبی مغناطیسی افقی استفاده‌ش...
متن کاملمدل تحلیلی برای محاسبه تابع پذیرفتاری مغناطیسی در یک گاز الکترون آزاد قطبیده اسپینی
در این مقاله، با استفاده از نظریه پاسخ خطی هارتری- فاخ، پذیرفتاری مغناطیسی یک گاز الکترونی آزاد قطبیده اسپینی که تحت یک میدان مغناطیسی استاتیک قرار دارد به صورت تحلیلی بررسی میشود. با توجه به تقریبهای مختلف برای شکل پتانسیل تبادلی، خودمان را محدود به یک مدل نواری دو اسپینی سادهای برای گاز فرومغناطیسی میکنیم. در این مدل فرض میشود که نوارهای مربوط به الکترونهای با اسپین بالا و پایین نسبت به ...
متن کاملمقاومت مغناطیسی تنظیم‌پذیر در پیوندگاه گرافین گاف‌دار تحت کشش در حضور سد مغناطیسی
در تحقیق حاضر با اعمال هم‌زمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گاف‌دار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان می‌دهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف دره‌ای در ساختار گرافین نمی‌شود و این گاف با اعمال سد مغناطیسی در حضور کشش در ساختار گرافین قابل ایجاد و با تغییر مقدار گاف جرمی زیر لایه...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023